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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
關鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻

NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
關鍵字： NAND 三星閃存美光 SK海力士

NAND Flash廠商2025年重啟減產策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND Flash產業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關計劃，可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的，背后受以下因素驅動：第一，需求疲軟
關鍵字： NAND Flash 減產 TrendForce 集邦咨詢

嵌入式軟件OTA升級，有哪幾種FLASH劃分方式？

很多嵌入式硬件設備都集成了OTA功能，以便產品量產后可以通過遠程OTA等方式下載的APP應用程序。在使用帶有OTA功能的固件之前，其實還需要提前下載BootLoader程序，才能進一步下載APP程序，今天就來說說通過OTA方式升級固件時，幾種Flash（閃存）劃分方式。獨立型
關鍵字：嵌入式 OTA FLASH

應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
關鍵字：三星 NAND 閃存存儲卡 U盤晶圓 SK海力士鎧俠西部數(shù)據(jù) 美光長江存儲

SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產部門，任命首席開發(fā)官及首席生產官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據(jù)介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
關鍵字： SK海力士內存 NAND

3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強勁，消費性訂單未復蘇

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季NAND Flash產業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產業(yè)整體營收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級SSD需求強勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
關鍵字： NAND Flash 企業(yè)級SSD TrendForce 集邦咨詢

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
關鍵字：三星光刻膠 3D NAND

兆易創(chuàng)新GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認證證書

業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，旗下GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash在嚴苛汽車應用場景中的卓越安全性能和可靠性，也進一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領域的領導地位。隨著汽車電子電氣組件數(shù)量的指數(shù)級增長，其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權威汽車功能
關鍵字：兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash

三星將出售西安芯片廠舊設備及產線

據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產線的舊設備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產線調整，并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。預計出售程序將于明年正式開始，銷售的設備大部分是100級3D NAND設備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。
關鍵字：三星西安 NAND

消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構

10 月 29 日消息，《韓國經濟日報》當?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產品將調
關鍵字：三星存儲 V-NAND

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
關鍵字： NAND 閃存存儲市場分析

三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業(yè)提
關鍵字：三星電子 V-NAND 車載SSD

三星首款！第八代V-NAND車載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s

9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩(wěn)定運行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
關鍵字：三星電子 NAND PCIe 4.0 車載SSD

2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，由于Server（服務器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]